随着微电子领域对电路密度和RC 延时要求的不断提高，半导体器件和电路的特征尺寸持续缩小，Cu 作为新互连材料，已经代替铝被广泛使用，以此来减少因电容-电阻所产生的延迟问题。与传统的金属互连材料 Al 相比，Cu 具有比 Al 低 40%的电阻率， 高 2 个数量级的抗电迁徙性能，更高的熔点和热传导系数。即采用 Cu 作为互连线材料，可大大提高电路的运算速度与可靠性，因此取代铝成为现今最重要的金属互连线材料。但是 Cu 在 Si 和介质中的扩散速率都比较高。例如在 300~700 ℃区间时，Cu 在 Si 中的扩散速率是 4.7×10−3exp(−0.43kT) cm2/s[1]，如果一旦有 Cu 原子进入到 Si 基体中，便会成为深能级受主杂质，从而产生复合中心，使载流子寿命大大减低，最终导致器件性能退化甚至失效，并且 Cu 和介质的粘附性也比较弱。因此，若要使用铜互连技术， 必须要在Cu 和Si 基介质之间加一层薄膜，称为 DBAP（Diffusion Barrier and Adhesion Promoter），简称为阻挡层。 为了抑制Cu 的快速扩散，需要在铜硅之间加入一层有效的扩散阻挡层。在保证扩散阻挡层阻挡性能的前提下，要尽量降低扩散阻挡层的厚度和电阻率。利用直流磁控溅射法在单晶Si 衬底上制备15 nm厚的AlCrTaTiZrMo 氮化物薄膜作为Cu 互连的阻挡层材料。 采用德国Teer公司闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备制备高熵合金薄膜， 实验所用靶材为AlCrTaTiZrMo 六元合金靶，各元素含量接近等摩尔比，纯度均为99.9%。用n 型(100)Si 片作为衬底，在丙酮和无水乙醇中先后对基片进行超声波清洗各10 min，干燥后迅速放入溅射室内。将溅射室抽真空至0.0026Pa，电流为1 A，偏压为100 V，并通入Ar 与N2 的混合气体，V(N2)/(V(Ar)+V(N2))=20%。在不打破真空状态下溅射30 min 沉积150 nm 的Cu 膜，从而获得Cu/HEAN/Si复合结构。 其优势在于具有热稳定性和良好的扩散阻挡性且扩散阻挡层厚度小、电阻率低。该高熵合金扩散阻挡层在微电子领域Cu互连中具有很好的应用前景。（例如：应用于手机集成电路的制作，提升性能，延长寿命。）利用高熵合金薄膜技术制备的密集电路，解决了Cu 在低温（<200 ℃）下极易和Si 反应，生成Cu-Si 化合物，使器件失效的问题。提高了器件的可靠性、稳定性，进而提升了传输效率。