稀土 CeO2 由于其适当的机械性能及高的化学活性，更重要的是其对Si3N4/SiO2 的高选择性去除，使其被广泛应用于浅槽隔离化学机械抛光工艺中。本文论述了 CeO2 基抛光剂的抛光机理的研究进展，从 CeO2 磨料的形貌尺寸、晶体结构、力学性能方面分析了磨料性质对抛光性能的影响，并进一步讨论了 CeO2 基研磨颗粒及相关辅助抛光技术在 CMP 应用上的研究进展。以此为 CeO2 基磨料的可控制备及新型抛光技术的发展提供借鉴，并希望能够促进 CeO2 在抛光工艺中作用机理的揭示，使 CeO2 抛光液更广泛地应用于材料的平坦化处理中。