本项目应用于集成电路互联阻挡层领域，制备了高熵阻挡层材料，目前行业所用的阻挡层材料大多是二元过渡金属氮化物，与高熵氮化物相比，后者性能高且成本低。本产品顺应于市场所需——阻挡层更高的使用性能和寿命，解决了Cu 在低温（<200 ℃）下极易和Si 反应，使器件失效的问题。本项目通过研究高熵合金薄膜的热稳定性以及扩散机理，应用到扩散阻挡层中，在微电子领域Cu互连中具有很好的应用前景。